IGBT транзистор
Биполярный транзистор с изолированным затвором
В современной силовой электронике широкое распространение получили так называемые транзисторы IGBT. Данная аббревиатура заимствована из зарубежной терминологии и расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, а на русский манер звучит как Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором. Поэтому IGBT транзисторы ещё называют БТИЗ.
БТИЗ представляет собой электронный силовой прибор, который используется в качестве мощного электронного ключа, устанавливаемого в импульсные источники питания, инверторы, а также системы управления электроприводами.
Суть его работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным биполярным. В результате переключение мощной нагрузки становиться возможным при малой мощности, так как управляющий сигнал поступает на затвор полевого транзистора.
Вот так выглядят современные IGBT FGH40N60SFD фирмы Fairchild. Их можно обнаружить в сварочных инверторах марки «Ресанта» и других аналогичных аппаратах.
Внутренняя структура БТИЗ – это каскадное подключение двух электронных входных ключей, которые управляют оконечным плюсом. Далее на рисунке показана упрощённая эквивалентная схема биполярного транзистора с изолированным затвором.
Упрощённая эквивалентная схема БТИЗ
История появления БТИЗ.
Впервые мощные полевые транзисторы появились в 1973 году, а уже в 1979 году была предложена схема составного транзистора, оснащенного управляемым биполярным транзистором при помощи полевого с изолированным затвором. В ходе тестов было установлено, что при использовании биполярного транзистора в качестве ключа на основном транзисторе насыщение отсутствует, а это значительно снижает задержку в случае выключения ключа.
Несколько позже, в 1985 году был представлен БТИЗ, отличительной особенностью которого была плоская структура, диапазон рабочих напряжений стал больше. Так, при высоких напряжениях и больших токах потери в открытом состоянии очень малы. При этом устройство имеет похожие характеристики переключения и проводимости, как у биполярного транзистора, а управление осуществляется за счет напряжения.
Первое поколение устройств имело некоторые недостатки: переключение происходило медленно, да и надежностью они не отличались. Второе поколение увидело свет в 90-х годах, а третье поколение выпускается по настоящее время: в них устранены подобнее недостатки, они имеют высокое сопротивление на входе, управляемая мощность отличается низким уровнем, а во включенном состоянии остаточное напряжение также имеет низкие показатели.
Уже сейчас в магазинах электронных компонентов доступны IGBT транзисторы, которые могут коммутировать токи в диапазоне от нескольких десятков до сотен ампер (Iкэ max), а рабочее напряжение (Uкэ max) может варьироваться от нескольких сотен до тысячи и более вольт.
Условное обозначение БТИЗ (IGBT) на принципиальных схемах.
Условное обозначение БТИЗ (IGBT)
На рисунке показано условное графическое обозначение биполярного транзистора с изолированным затвором. Также он может изображаться со встроенным быстродействующим диодом.
Особенности и сферы применения БТИЗ.
Отличительные качества IGBT:
Управляется напряжением (как любой полевой транзистор);
Имеют низкие потери в открытом состоянии;
Могут работать при температуре более 100°C;
Способны работать с напряжением более 1000 Вольт и мощностями свыше 5 киловатт.
Перечисленные качества позволили применять IGBT транзисторы в инверторах, частотно-регулируемых приводах и в импульсных регуляторах тока. Кроме того, они часто применяются в источниках сварочного тока (подробнее об устройстве сварочного инвертора), в системах управления мощными электроприводами, которые устанавливаются, например, на электротранспорт: электровозы, трамваи, троллейбусы. Такое решение значительно увеличивает КПД и обеспечивает высокую плавность хода.
Кроме того, устанавливают данные устройства в источниках бесперебойного питания и в сетях с высоким напряжением. Их можно обнаружить в составе электронных схем стиральных, швейных и посудомоечных машин, инверторных кондиционеров, насосов, системах электронного зажигания автомобилей, системах электропитания серверного и телекоммуникационного оборудования. Как видим, сфера применения БТИЗ довольно велика.
IGBT-модули.
IGBT-транзисторы выпускаются не только в виде отдельных компонентов, но и в виде сборок и модулей. На фото показан мощный IGBT-модуль BSM 50GB 120DN2 из частотного преобразователя (так называемого «частотника») для управления трёхфазным двигателем.
IGBT модуль
Схемотехника частотника такова, что технологичнее применять сборку или модуль, в котором установлено несколько IGBT-транзисторов. Так, например, в данном модуле два IGBT-транзистора (полумост).
Стоит отметить, что IGBT и MOSFET в некоторых случаях являются взаимозаменяемыми, но для высокочастотных низковольтных каскадов предпочтение отдают транзисторам MOSFET, а для мощных высоковольтных – IGBT.
Так, например, IGBT транзисторы прекрасно выполняют свои функции при рабочих частотах до 20-50 килогерц. При более высоких частотах у данного типа транзисторов увеличиваются потери. Также наиболее полно возможности IGBT транзисторов проявляются при рабочем напряжении более 300-400 вольт. Поэтому биполярные транзисторы с изолированным затвором легче всего обнаружить в высоковольтных и мощных электроприборах, промышленном оборудовании.
Пятое поколение IGBT-модулей Infineon – новая эпоха в силовой электронике
IGBT-модули пятого поколения производства Infineon – результат одновременно технологического прорыва и тонкого компромисса между параметрами изделия. Значительное увеличение КПД, удельной мощности и срока службы этих транзисторных модулей позволяет применять их в инновационных областях электроэнергетики.
Появление солнечных и ветряных электростанций, увеличение числа электромобилей и других типов электротранспорта, создание распределенных сетей генерации электричества – все это требует управления потоками электроэнергии, невозможное без преобразования ее параметров.
На сегодняшний день мощности твердотельных высокочастотных преобразователей уже превысили уровень в один мегаватт. Это означает, что их рабочие напряжения и токи измеряются цифрами с тремя и более нулями. А ведь кроме обеспечения нагрузок необходимым количеством энергии, преобразователи должны быть надежными, компактными, высокоэффективными и иметь максимально длительный срок службы. Очевидно, что для выполнения этих взаимоисключающих требований они должны строиться на основе силовых компонентов со специфическим набором характеристик, среди которых установочная мощность (произведение максимально допустимого напряжения на максимально допустимый ток) является главным, но не единственным ключевым параметром. Из всего существующего многообразия компонентов наиболее подходящими для построения мощных преобразователей являются биполярные транзисторы с изолированным затвором (Insulated-Gate Bipolar Transistor, IGBT), постепенно вытесняющие из этой области все остальные типы полупроводниковых приборов, в том числе и запираемые тиристоры (GTO, IGCT), до недавнего времени бывшие практически безальтернативным вариантом для создания мощных преобразователей.
Поскольку количество существующих схем преобразователей невелико, многие производители выпускают повторяющиеся фрагменты схемы силовой части в виде готовых модулей. В этом случае в специально разработанном корпусе с малым тепловым сопротивлением располагаются не только силовые IGBT, но и другие стандартные компоненты, например, антипараллельные диоды, драйверы транзисторов или ограничители перенапряжений. Кроме этого, элементы внутри корпуса соединяются между собой, в результате чего модуль превращается в законченный узел, требующий минимального количества операций при установке в устройство.
Именно о таких модулях компании Infineon и пойдет речь в статье. Особенностью рассматриваемых модулей является использование нескольких новых технологий, благодаря которым были значительно улучшены три основных параметра IGBT-модуля: удельная мощность, эффективность и срок службы. Разработав данные модули, компания Infineon фактически вывела мощные преобразователи на новый уровень качества, пока еще недостижимый при использовании аналогичных приборов других производителей.
Отличительной особенностью IGBT-модулей Infineon является уникальное сочетание трех передовых технологий:
Использование каждой из этих технологий по отдельности уже позволяет ощутимо улучшить характеристики преобразователей, однако их сочетание взаимно усилило преимущества друг друга, что позволило компании Infineon в конечном итоге увеличить удельную мощность своих приборов как минимум на 25%, тем самым фактически открыв новую эпоху в силовой преобразовательной технике.
Пятое поколение IGBT TrenchStop
Наиболее простой и недорогой технологией изготовления IGBT является технология NPT (рисунок 1а) без использования дорогого эпитаксиального наращивания кремния, при которой все слои транзистора располагаются в основной пластине. NPT-IGBT отличаются малым падением напряжения между коллектором и эмиттером, небольшим «хвостом» тока при выключении, хорошей термостабильностью и повторяемостью параметров. Однако невозможность увеличения плотности тока приводит к увеличению размеров транзисторов и, как следствие, к ухудшению их частотных свойств и динамических характеристик. Все это не позволяет использовать данные транзисторы в мощных устройствах.
Рис. 1. Структура IGBT разных технологий
Намного лучше характеристики у транзисторов, выполненных по технологии Trench-FieldStop (TrenchStop™) (рисунок 1б), в которой компании Infineon удалось реализовать практически трапецеидальную форму напряженности электрического поля по толщине дрейфовой зоны при блокировании номинального напряжения, в отличие от треугольной формы, реализованной в NPT IGBT. Это позволило примерно вдвое уменьшить толщину зоны дрейфа зарядов и, соответственно, уменьшить как величину падения напряжения между коллектором и эмиттером в открытом состоянии, так и улучшить частотные характеристики транзисторов за счет уменьшения количества заряда, Использование для изготовления транзисторов Trench-FieldStop пластин кремния, толщина которых намного меньше толщины стандартных подложек, с одной стороны, усложнило технологию производства и увеличило себестоимость, с другой же – это было скомпенсировано улучшением практически всех остальных параметров. В итоге Trench-FieldStop-IGBT отличаются малыми значениями статических и динамических потерь, теплового сопротивления, высокой плотностью тока и устойчивостью к циклическим тепловым нагрузкам.
Выпуская Trench-FieldStop-IGBT более 15 лет, компания Infineon постоянно занималась улучшением их технических характеристик, в результате чего было разработано несколько поколений транзисторов, последним из которых на сегодняшний день являются транзисторы пятого поколения (рисунок 1в). Сочетая в себе все ключевые преимущества предыдущих технологий, транзисторы TrenchStop5 имеют еще меньшую толщину дрейфовой зоны и, соответственно, еще меньший «хвост» тока при выключении и меньшее падение напряжения между коллектором и эмиттером в открытом состоянии. В целом в IGBT пятого поколения статические и динамические потери до 20% меньше, чем у лучших представителей транзисторов предыдущих поколений (рисунок 2). Кроме этого, увеличенная толщина медной металлизации вывода эмиттера позволила увеличить тепловую емкость структуры и увеличить допустимое время работы на границе области безопасной работы (в режиме короткого замыкания) до 10 мкс.
Рис. 2. Сравнение IGBT 4-го и 5-го поколений
Корпус PrimePACK
Однако какие бы высокие характеристики ни были у транзистора, его работа зависит, прежде всего, от окружающих условий, которые, в свою очередь, зависят от характеристик корпуса. В первую очередь от корпуса зависит скорость отвода тепла и, соответственно, температура кристаллов. Кроме этого, учитывая особенности работы мощных преобразователей, особое значение для этого узла модуля имеет стойкость к циклическим тепловым нагрузкам.
Согласно результатам проведенных исследований, наиболее разрушительными для мощных силовых модулей являются периодические колебания температуры, возникающие из-за непостоянства нагрузки преобразователей. Неудачный подбор материалов основы корпуса, способов крепления силовых компонентов модуля и внутренних соединений со временем, из-за разных коэффициентов теплового расширения материалов, приводит к разрушению соединений элементов внутри модуля и выходу его из строя.
Скажем, при использовании мягких припоев на основе олова с температурой плавления 230…280°С максимальная температура кристаллов не должна превышать 150°С. В этом случае производитель еще может гарантировать продолжительную работу модуля. Но при увеличении температуры кристалла до 175°С уже резко возрастает текучесть припоя, что приводит к появлению внутренних напряжений и в конечном итоге, после ряда циклов «нагрев-охлаждение» (включение-выключение преобразователя) – к разрушению соединения (рисунок 3).
Рис. 3. Отрыв алюминиевого внутреннего проводника (а) и разрушение слоя припоя (б) из-за циклических тепловых нагрузок
Именно это является одним из основных причин выхода из строя полупроводниковых модулей, рассчитанных на использование в мощных преобразователях. Причем разрушению могут подвергаться любые соединения внутри модуля: крепления транзисторов к основанию, внутриблочные соединения, покрытия оснований и элементов модуля. Везде, где существует соединение нескольких разнородных материалов, есть большая вероятность отказа из-за наличия переменных тепловых нагрузок.
Корпуса PrimePACK были разработаны компанией Infineon в 2006 году. Они изначально рассчитывались на использование транзисторов и диодов с повышенной рабочей температурой кристаллов, которых в то время еще не существовало. За более чем 10-летнюю историю они не раз доказывали свою высокую надежность, и стали фактически стандартом для построения мощных преобразователей для электротранспорта, электростанций и других областей.
Ключевыми особенностями корпусов PrimePACK является малая величина теплового сопротивления, в том числе и за счет размещения кристаллов полупроводниковых элементов ближе к точкам крепления подложки к теплоотводу, что позволяет эффективно отводить тепло от силовых элементов модуля (рисунок 4).
Рис. 4. Моделирование распределения температуры внутри корпуса PrimePACK
Существует два типа корпусов PrimePACK (рисунок 5). PrimePACK2 с размерами 172х89 мм предназначен для приборов с небольшой установочной мощностью, а PrimePACK3 с размерами 250×89 мм, поддерживаемый многими мировыми производителями электронных компонентов, уже давно стал образцом корпуса для силовых модулей преобразователей мощностью более 1 МВт. Но, несмотря на высокие технические характеристики корпуса PrimePACK3, для того чтобы достичь рекордных значений установочной мощности, специалистам компании Infineon пришлось улучшать даже эту конструкцию, что привело к появлению корпуса PrimePACK3+.
Рис. 5. Корпуса PrimePACK
Размеры PrimePACK3 и PrimePACK3+ аналогичны, однако внутренняя компоновка модифицированного модуля претерпела существенные изменения, а добавление двух дополнительных терминалов – вывода общей точки соединения транзисторов и вывода коллектора транзистора нижнего плеча – позволило увеличить выходной ток модуля до 1800 А при максимальном рабочем напряжении до 1700 В.
Однако, как показывает практика, использования высокоэффективных транзисторов и передовых технологий корпусирования может оказаться недостаточно для получения высокой удельной мощности. Ведь силовые компоненты еще как-то нужно соединять как между собой, так и с терминалами модуля. И здесь также может быть множество потенциальных проблем, основными из которых являются все те же циклические изменения температуры, приводящие к постепенному разрушению соединений материалов с разным коэффициентом теплового расширения, и паразитная индуктивность, наличие которой, особенно при коммутации больших токов, может привести к пробою IGBT.
Кроме этого, соединение элементов модуля с помощью алюминиевых проводников ограничивает максимальное значение тока модуля на уровне 1200…1500 А. Это связано, во-первых, с относительно высоким удельным сопротивлением алюминия по сравнению с другими электротехническими материалами (медью, серебром), а во-вторых – с достаточно высокой индуктивностью данных проводников.
В первую очередь мягкие и текучие алюминиевые проводники для внутренних соединений были заменены на более термостабильные и надежные медные шины. Кстати, именно из-за необходимости соединения с медными шинами в IGBT Trench-FieldStop пятого поколения вывод эмиттера пришлось сделать медным (рисунок 7). Как известно, медь имеет более высокую по сравнению с алюминием прочность на разрыв и температуру плавления, что делает ее более устойчивой к термомеханическим нагрузкам. Кроме этого, она имеет меньший коэффициент температурного расширения, что позволяет снизить величину внутренних механических напряжений в модуле при изменении температуры.
Рис. 7. Сечение соединения кремниевого вывода эмиттера IGBT с медной металлизацией (снизу) с медным соединительным проводником (сверху)
Медь также имеет меньшее удельное сопротивление по сравнению с алюминием, что в совокупности с использованием параллельного соединения нескольких медных шин, уменьшающих общую индуктивность, позволило увеличить максимальное значение тока внутри модуля.
Так была решена проблема внутренних соединений. Однако для надежного крепления полупроводниковых кристаллов к основе модуля пришлось разработать две новые технологии.
В первую очередь пайка с помощью мягких припоев была заменена на более высокотемпературную диффузную пайку с образованием интерметаллических соединений. Как известно, интерметаллиды могут обладать более высокой твердостью, химической стойкостью и температурой плавления, чем исходные металлы. В этом случае олово полностью поглощается в процессе диффузной пайки, образуя с медью соединения Cu6Sn5 с температурой плавления 416°С и Cu3Sn с температурой плавления 676°С, а с серебром – Ag3Sn с температурой плавления 480°С (рисунок 8).
Рис. 8. Соединение кремниевого кристалла с подложкой с образованием интерметаллических соединений на основе меди (а) и серебра (б)
В случае, когда использование высоких температур при сборке модуля затруднительно, используется технология низкотемпературного (200…270°С) спекания микрочастиц серебра. При достаточно высоком давлении (5…30 МПа) и указанной температуре микрочастицы серебра соединяются в компактное пористое соединение с температурой плавления 962°C (рисунок 9). В отличие от диффузной пайки, основным критерием качества которой является однородность и отсутствие пустот, качество спекания серебра напрямую зависит от пористости образовавшегося соединения. Дело в том что увеличение пористости уменьшает модуль упругости и прочность образовавшегося соединения, что в итоге приводит к снижению усталостной прочности при циклических температурных колебаниях.
Рис. 9. Результат спекания частиц серебра под оптическим (а) и электронным (б) микроскопами
Из-за высоких температур плавления соединений, образовавшихся в результате диффузной пайки и низкотемпературного спекания, степень текучести и усталости соединений при увеличении температур кристаллов полупроводниковых элементов до 175°С оказывается намного ниже по сравнению с традиционными соединениями на основе мягких оловянных припоев (рисунок 10).
Рис. 10. Разрушение слоя на основе мягкого припоя (а) и надежное соединение диффузной пайки (б) после ряда циклов термической нагрузки
Рис. 11. Ультразвуковая сварка двух медных проводников
Что получилось в результате?
Итак, теперь становится понятным, что наилучший результат дает только совместное использование всех трех рассмотренных выше технологий.
Использование IGBT пятого поколения позволяет уменьшить статические и динамические потери во время работы силовой части, например, по сравнению с IGBT четвертого поколения. Это означает, что при одной и той же мощности преобразователя на кристаллах будет выделяться меньше тепла, поэтому мощность преобразователя теперь можно увеличить.
И последней, самой сложной задачей, которую профессионально решили специалисты компании Infineon, стало увеличение температуры кристаллов, что потребовало пересмотра практически всех технологий изготовления подобных модулей. В результате после увеличения температуры со 150°C (рабочей температуры IGBT четвертого поколения) до 175°C (рабочей температуры IGBT пятого поколения) новые модули позволяют на 25% увеличить мощность преобразователей при тех же массогабаритных показателях. Если же удельную мощность преобразователя оставить неизменной, то за счет снижения фактической температуры перегрева можно увеличить срок службы модулей как минимум в 10 раз (рисунок 12).
На данный момент разработчику предоставляется богатый выбор модулей (таблица 1), применение которых позволит создавать мощные инверторы, отвечающие самым высоким требованиям к компактности, надежности и эффективности.
Таблица 1. Параметры IGBT-модулей производства Infineon
| Наименование | Максимально допустимое напряжение, В | Максимальный ток, А | Топология силовой части | Технология | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|
| FF450R12IE4 | 1200 | 450 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF600R12IE4V | 1200 | 600 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| DF600R12IP4D | 1200 | 600 | Повышающий | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| FF600R12IP4 | 1200 | 600 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| FF600R12IS4F | 1200 | 600 | Полумост | IGBT2 Fast | PrimePACK™ 2 |
| FF600R12IE4 | 1200 | 600 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF600R12IP4V | 1200 | 600 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| FF900R12IP4P | 1200 | 900 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| DF900R12IP4D | 1200 | 900 | Повышающий | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| FF900R12IE4V | 1200 | 900 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF900R12IE4VP | 1200 | 900 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF900R12IE4P | 1200 | 900 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF900R12IP4DV | 1200 | 900 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| FD900R12IP4DV | 1200 | 900 | Повышающий | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| FF900R12IE4 | 1200 | 900 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FD900R12IP4D | 1200 | 900 | Повышающий | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| FF900R12IP4 | 1200 | 900 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| FF900R12IP4D | 1200 | 900 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| FF900R12IP4V | 1200 | 900 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| DF900R12IP4DV | 1200 | 900 | Повышающий | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 2 |
| FF1200R12IE5 | 1200 | 1200 | Полумост | IGBT5-E5 | PrimePACK™ 2 |
| FF1200R12IE5P | 1200 | 1200 | Полумост | IGBT5-E5 | PrimePACK™ 2 |
| FF1400R12IP4 | 1200 | 1400 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 3 |
| FF1400R12IP4P | 1200 | 1400 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 3 |
| FD1400R12IP4D | 1200 | 1400 | Повышающий | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 3 |
| DF1400R12IP4D | 1200 | 1400 | Повышающий | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 3 |
| FF1500R12IE5 | 1200 | 1500 | Полумост | IGBT5-E5 | PrimePACK™ 3+ |
| FF1800R12IE5 | 1200 | 1800 | Полумост | IGBT5-E5 | PrimePACK™ 3+ |
| FF1800R12IE5P | 1200 | 1800 | Полумост | IGBT5-E5 | PrimePACK™ 3+ |
| FF450R17IE4 | 1700 | 450 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF650R17IE4P | 1700 | 650 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FD650R17IE4 | 1700 | 650 | Повышающий | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF650R17IE4 | 1700 | 650 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF650R17IE4DP_B2 | 1700 | 650 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF650R17IE4D_B2 | 1700 | 650 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF650R17IE4V | 1700 | 650 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| DF650R17IE4 | 1700 | 650 | Повышающий | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 2 |
| FF1000R17IE4P | 1700 | 1000 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 3 |
| FF1000R17IE4D_B2 | 1700 | 1000 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 3 |
| FD1000R17IE4D_B2 | 1700 | 1000 | Повышающий | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 3 |
| FD1000R17IE4 | 1700 | 1000 | Повышающий | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 3 |
| DF1000R17IE4D_B2 | 1700 | 1000 | Повышающий | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 3 |
| FF1000R17IE4DP_B2 | 1700 | 1000 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 3 |
| FF1000R17IE4 | 1700 | 1000 | Полумост | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 3 |
| DF1000R17IE4 | 1700 | 1000 | Повышающий | IGBT4-E4 | PrimePACK™ 3 |
| FF1200R17IP5 | 1700 | 1200 | Полумост | IGBT5-P5 | PrimePACK™ 2 |
| FF1400R17IP4P | 1700 | 1400 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 3 |
| FF1400R17IP4 | 1700 | 1400 | Полумост | IGBT4-P4 | PrimePACK™ 3 |
| FF1500R17IP5 | 1700 | 1500 | Полумост | IGBT5-P5 | PrimePACK™ 3+ |
| FF1500R17IP5P | 1700 | 1500 | Полумост | IGBT5-P5 | PrimePACK™ 3+ |
| FF1800R17IP5 | 1700 | 1800 | Полумост | IGBT5-P5 | PrimePACK™ 3+ |
| FF1800R17IP5P | 1700 | 1800 | Полумост | IGBT5-P5 | PrimePACK™ 3+ |
Заключение
В любом случае цель, поставленная специалистами компании Infineon, достигнута, и разработчикам мощных силовых преобразователей есть что изучать и осваивать. Видимо, скоро нас ждут новые цели, технологии и рекорды, потому что технологии преобразования электрической энергии пока еще только начинают раскрывать свой потенциал.